原子層蝕刻設(shè)備 參考價(jià)：面議
原子層蝕刻設(shè)備是一種先進(jìn)的蝕刻技術(shù)，可精準(zhǔn)的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的進(jìn)一步減小，需要進(jìn)一步的使用ALE才能達(dá)到其所需的精度。
感應(yīng)耦合電漿蝕刻 參考價(jià)：面議
感應(yīng)耦合電漿蝕刻是在標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)離子蝕刻（RIE）的基礎(chǔ)上，添加電感耦合電漿的。感應(yīng)耦合電漿由磁場(chǎng)圍繞石英晶體管所提供。產(chǎn)生的高密度電漿被線圈包圍，將充當(dāng)變壓器中的...
反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備 參考價(jià)：面議
反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，并具有重復(fù)性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。
RIE等離子刻蝕機(jī)SI 591 參考價(jià)：面議
RIE等離子刻蝕機(jī)SI 591：預(yù)真空室和計(jì)算機(jī)控制的等離子體刻蝕工藝條件，使得SI 591 具有優(yōu)異的工藝再現(xiàn)性和等離子體蝕刻工藝靈活性。靈活性、模塊性和占地...
等離子刻蝕機(jī) 參考價(jià)：面議
RIE Etchlab 200等離子刻蝕機(jī)根據(jù)其模塊化設(shè)計(jì)，等離子蝕刻機(jī)Etchlab 200可升級(jí)為更大的真空泵組，預(yù)真空室和更多的氣路。
等離子刻蝕機(jī) 參考價(jià)：面議
等離子刻蝕機(jī)由于離子能量低，離子能量分布帶寬窄，因此可以用我們的等離子體刻蝕機(jī)SI 500進(jìn)行低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)的刻蝕。
深硅刻蝕 參考價(jià)：面議
進(jìn)口深硅刻蝕：三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合...
反應(yīng)離子刻蝕機(jī) 參考價(jià)：面議
反應(yīng)離子刻蝕機(jī)我們的等離子蝕刻設(shè)備包括用功能強(qiáng)大的用戶友好軟件與模擬圖形用戶界面，參數(shù)窗口，工藝窗口，數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。
英國(guó)光柵刻蝕 參考價(jià)：面議
英國(guó)光柵刻蝕三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合效...
日本傾斜角刻蝕 參考價(jià)：面議
日本傾斜角刻蝕代表了直接置片等離子刻蝕機(jī)家族，它結(jié)合了RIE的平行板電極設(shè)計(jì)和直接置片的成本效益設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。Etchlab200的特征是簡(jiǎn)單和快速的樣品加載，從...
進(jìn)口深硅刻蝕 參考價(jià)：面議
進(jìn)口深硅刻蝕：三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合...
RIE等離子刻蝕機(jī) 參考價(jià)：面議
RIE等離子刻蝕機(jī)我們的等離子蝕刻設(shè)備包括用功能強(qiáng)大的用戶友好軟件與模擬圖形用戶界面，參數(shù)窗口，工藝窗口，數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。
RIE等離子刻蝕機(jī) 參考價(jià)：面議
RIE等離子刻蝕機(jī)該等離子刻蝕機(jī)配備了用戶友好的強(qiáng)大軟件，具有模擬圖形用戶界面，參數(shù)窗口，工藝編輯窗口，數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。
ICP-RIE等離子刻蝕機(jī) 參考價(jià)：面議
ICP-RIE等離子刻蝕機(jī)三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
會(huì)員.png)
3